El efecto piezorresistivo representa un cambio en la resistividad eléctrica de un material (por ejemplo, semiconductor, metal) cuando se aplica tensión mecánica. El cambio de resistencia eléctrica se debe a dos motivos: cambio de geometría y cambio de conductividad del material. El cambio en la resistencia es mucho más pronunciado para los semiconductores que para los metales.
Kistler, por ejemplo, solo ofrece sensores de presión piezorresistivos basados en semiconductores de silicio. Para ello, cuatro resistencias de silicio se esparcen en una membrana semiconductora y se conectan con otra para formar un puente de Wheatstone. Bajo la influencia de la presión, el diafragma se deforma, lo que afecta a la resistencia eléctrica de las cuatro resistencias de silicio. El cambio en la resistencia es proporcional a la presión aplicada.
Esto también significa que el voltaje diferencial a través del puente de Wheatstone es proporcional a la presión aplicada. El voltaje diferencial resultante se puede enviar al conector eléctrico para su evaluación.
